石家庄亮匆顾问有限公司

未來(lái)芯片技術(shù)發(fā)展

2020-08-11 11:53:55 236

【摘自“傳感器技術(shù)”】

目前,原子尺度硅材料的基本物理限制使得由摩爾定律驅(qū)動(dòng)的硅技術(shù)演進(jìn)路徑似乎正快速接近終點(diǎn)。隨著摩爾定律走向終結(jié),人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、超級(jí)計(jì)算及其相關(guān)應(yīng)用卻提出了更高的性能要求,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入亟需轉(zhuǎn)變突破發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn),芯片架構(gòu)、材料、集成、工藝和安全方面的創(chuàng)新研究成為新的突破方向。

1 新型晶體管技術(shù)

1.1 新架構(gòu)晶體管技術(shù)

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin Field-effect transistor,F(xiàn)inFET)是當(dāng)前主流半導(dǎo)體制造工藝采用的晶體管架構(gòu),成功地推動(dòng)了從22納米到7納米等數(shù)代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,并將拓展到5納米和4納米工藝節(jié)點(diǎn)。全環(huán)柵晶體管(Gate-All-Around field-effect transistors,GAAFET)是一種繼續(xù)延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線壽命的較主流技術(shù),可進(jìn)一步增強(qiáng)柵極控制能力,克服當(dāng)前技術(shù)的物理縮放比例和性能限制。從3納米開(kāi)始,韓國(guó)三星電子將放棄FinFET架構(gòu)轉(zhuǎn)向GAAFET架構(gòu),計(jì)劃在2020年底進(jìn)行3納米GAAFET產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)試生產(chǎn),2021年底進(jìn)行批量生產(chǎn)。3納米以下晶體管潛在技術(shù)包括互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Complementary Field-Effect Transistors,CFET)、垂直納米線晶體管、負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Negative Capacitance Field-Effect Transistors,NC-FET)、隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunnel Field-Effect Transistor,TFET)等。

1.2 新材料晶體管技術(shù)

研究硅基材料的替代材料,開(kāi)發(fā)新型電子器件是解決當(dāng)前芯片發(fā)展瓶頸的另一種解決方法。當(dāng)前,替代性半導(dǎo)體材料主要包括第三代半導(dǎo)體材料、碳基納米材料、二維半導(dǎo)體材料等。
第三代半導(dǎo)體材料包括碳化硅、氮化鎵、氧化鋅、金剛石、氮化鋁、氧化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力,被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”及光電子和微電子產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。目前,碳化硅晶體管和氮化鎵晶體管的研發(fā)相對(duì)較為成熟,推動(dòng)著5G通信技術(shù)、新能源汽車、光電器件等市場(chǎng)快速增長(zhǎng),其他第三代半導(dǎo)體材料尚屬于初級(jí)研究階段。德國(guó)英飛凌公司已開(kāi)發(fā)出系列碳化硅金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和分立器件。美國(guó)Cree公司于2019年宣布投資10億美元打造碳化硅超級(jí)制造工廠,將碳化硅晶圓制造能力提高30倍,以滿足2024年的預(yù)期市場(chǎng)增長(zhǎng)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司早在2009年就推出第一款商用增強(qiáng)型氮化鎵晶體管,目前面向無(wú)線電源傳送、全自動(dòng)汽車、高速移動(dòng)通信、低成本衛(wèi)星、醫(yī)療護(hù)理等應(yīng)用提供100多種氮化鎵產(chǎn)品。日本AGC公司已聯(lián)合Novel Crystal Technology公司開(kāi)發(fā)氧化鎵晶片。
石墨烯和碳納米管是有望取代硅延續(xù)摩爾定律的碳基納米材料。石墨烯具有非常優(yōu)異的電學(xué)、力學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)等特性,可通過(guò)微納加工工藝實(shí)現(xiàn)各種類型和功能的器件,現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出基于石墨烯的晶體管、二極管、存儲(chǔ)器、集成電路、電池、超級(jí)電容器、熱電器件、太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器、傳感器等電子和光電子器件。中國(guó)科學(xué)院金屬研究所于2019年10月制備出“硅-石墨烯-鍺晶體管”,大幅縮短延遲時(shí)間,并將截止頻率由兆赫茲提升至吉赫茲。近年來(lái),基于碳納米管的碳基電子學(xué)研究也取得了飛速發(fā)展,并逐漸從基礎(chǔ)研究轉(zhuǎn)向?qū)嶋H應(yīng)用。美國(guó)MIT于2019年開(kāi)發(fā)出迄今為止用碳納米管制造的最大計(jì)算機(jī)芯片,一顆由1.4萬(wàn)余個(gè)碳納米管晶體管(Carbon Nanotube Field-Effect Transistors,CNFET)組成的16位微處理器,證明可以完全由CNFET打造超越硅的微處理器。
高質(zhì)量的二維材料是潛在的下一代替代材料,但距離傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)至少還有十年的時(shí)間。除石墨烯外,較有希望的二維材料包括二硒化鎢和二硫化鉬等過(guò)渡金屬二鹵化物,但仍處于初級(jí)研究階段。

2 新型存儲(chǔ)器芯片技術(shù)

當(dāng)前,靜態(tài)存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)、閃存等主流存儲(chǔ)器面臨著難以逾越的固有技術(shù)局限和工藝挑戰(zhàn)。以相變存儲(chǔ)器(Phase-Change Memory,PCM或PCRAM)、磁性存儲(chǔ)器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)、阻性存儲(chǔ)器(Resistive Random Access Memory,ReRAM)、鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric Random Access Memory,F(xiàn)RAM)、碳納米管存儲(chǔ)器(Nanotube Random Access Memory,NRAM)為代表的新型存儲(chǔ)器能夠帶來(lái)獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),但均采用新材料制造且工藝嚴(yán)苛,大規(guī)模量產(chǎn)仍需一定的時(shí)間。其中,PCM、MRAM、ReRAM是普遍認(rèn)為最有前途的新型非易失性存儲(chǔ)器。PCM具有成本低和3D可伸縮性等特性,有望取代部分基于DRAM的高端固態(tài)硬盤;MRAM具有讀寫速度快、功耗低、成本低等特性,正在成為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備存儲(chǔ)器的領(lǐng)先候選者;ReRAM具有讀寫速度快和功耗低等顯著的性能優(yōu)勢(shì),有望帶來(lái)高密度和低成本存儲(chǔ)應(yīng)用。據(jù)美國(guó)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)分析公司Coughlin Associates報(bào)告顯示,MRAM和自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(Spin-Torque Transfer Magnetoresistive Random Access Memory,STT-MRAM)將在未來(lái)幾年內(nèi)取代或非門閃存;ReRAM是閃存的潛在替代品,但至少仍需十年時(shí)間才能完全實(shí)現(xiàn)。

3 新架構(gòu)芯片技術(shù)

1)存內(nèi)計(jì)算芯片

存內(nèi)計(jì)算是由一系列迅速融合的軟件技術(shù)和硬件架構(gòu)進(jìn)步實(shí)現(xiàn)的,突破了傳統(tǒng)存儲(chǔ)與計(jì)算分離架構(gòu)對(duì)運(yùn)算能力的限制,在性能、可擴(kuò)展性和分析復(fù)雜性方面有了顯著的改進(jìn),主要用于數(shù)據(jù)密集型計(jì)算的處理。人工智能和新型存儲(chǔ)器是推動(dòng)存內(nèi)計(jì)算發(fā)展的主要需求,因此預(yù)計(jì)存內(nèi)計(jì)算芯片將出現(xiàn)兩種形態(tài),一種為帶有計(jì)算功能的存儲(chǔ)器模塊,另一種為基于存內(nèi)計(jì)算的人工智能加速芯片。美國(guó)密歇根大學(xué)開(kāi)發(fā)了全球首個(gè)基于憶阻器陣列的存算一體通用人工智能芯片,可快速、低能耗地執(zhí)行多種人工智能算法。合肥恒爍半導(dǎo)體科技公司與中國(guó)科大團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)的我國(guó)首款超低功耗存算一體人工智能芯片系統(tǒng)演示順利完成,具有邊緣計(jì)算和推理能力。

2)深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)專用芯片

深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是識(shí)別和歸類聲音、圖像、文本等數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)模型,目前大多數(shù)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練和推理任務(wù)由圖形處理器(Graphics Processing Unit,GPU)完成。在加速神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算時(shí),深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)專用芯片具有比中央處理器(Central Processing Unit,CPU)和GPU更高的性能和更低的功耗。谷歌大規(guī)模部署了基于深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的張量處理器(Tensor Processing Unit,TPU)芯片,英特爾、亞馬遜、華為、阿里等巨頭也分別研制了自己的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片,寒武紀(jì)、Graphcore等新創(chuàng)公司開(kāi)發(fā)的深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)專用芯片受到了歡迎。

3)神經(jīng)形態(tài)芯片

神經(jīng)形態(tài)計(jì)算是一種通過(guò)構(gòu)建類似動(dòng)物大腦結(jié)構(gòu)的計(jì)算架構(gòu)以實(shí)現(xiàn)能夠模擬神經(jīng)生物過(guò)程的智能系統(tǒng)的新型計(jì)算模式,它能極大提升計(jì)算系統(tǒng)的感知與自主學(xué)習(xí)能力,可以應(yīng)對(duì)當(dāng)前十分嚴(yán)峻的能耗問(wèn)題,并有望顛覆現(xiàn)有的數(shù)字技術(shù)。盡管美國(guó)與歐盟等國(guó)家對(duì)神經(jīng)形態(tài)計(jì)算都投入了大量研發(fā)資源,麻省理工學(xué)院、普渡大學(xué)、斯坦福、IBM、惠普等大學(xué)和公司開(kāi)展了眾多探索性研究工作,但神經(jīng)形態(tài)芯片仍處于非常早期的原型階段。英特爾推出一款名為“Pohoiki Beach”的新型神經(jīng)形態(tài)芯片,內(nèi)含800萬(wàn)神經(jīng)元,速度比現(xiàn)有的CPU快近千倍,效率高近萬(wàn)倍,而耗電量?jī)H為百分之一,所用架構(gòu)為進(jìn)一步擴(kuò)展神經(jīng)元數(shù)量奠定了基礎(chǔ)。清華大學(xué)開(kāi)發(fā)出全球首款異構(gòu)融合類腦計(jì)算芯片——“天機(jī)芯”,由多個(gè)高度可重構(gòu)的功能性核組成,可同時(shí)支持機(jī)器學(xué)習(xí)算法和類腦計(jì)算算法,已成功在無(wú)人駕駛自行車上進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。

4)量子計(jì)算芯片

作為一種借助量子力學(xué)理論改進(jìn)的計(jì)算模型,量子計(jì)算可超越經(jīng)典計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)的計(jì)算速度。近20多年來(lái),量子計(jì)算取得了諸多突破性進(jìn)展,但量子計(jì)算系統(tǒng)仍須在規(guī)模化、噪聲、互聯(lián)方面獲取重大突破才能提供商業(yè)價(jià)值。量子計(jì)算芯片已獲得了大量資金的支持,諸多大學(xué)和企業(yè)實(shí)驗(yàn)室都在開(kāi)展研究。半導(dǎo)體量子芯片完全基于傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝,更容易達(dá)到要求的量子比特?cái)?shù)目,只要科學(xué)家能在實(shí)驗(yàn)室里實(shí)現(xiàn)樣品芯片,其大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)理論上講就不存在問(wèn)題,這是它大大超越其它量子計(jì)算方案的優(yōu)勢(shì)所在。Intel公司在量子計(jì)算機(jī)研制方面就選擇了硅量子點(diǎn)技術(shù),于2018年研制出首臺(tái)采用傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)硅芯片制造技術(shù)的量子計(jì)算機(jī)。澳大利亞新南威爾士大學(xué)開(kāi)發(fā)出了全球首款3D原子級(jí)硅量子芯片架構(gòu),朝著大規(guī)模量子計(jì)算機(jī)邁出了重要一步。目前,中國(guó)本源量子公司已與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合作研發(fā)出第一代半導(dǎo)體二比特量子芯片—玄微。

5)光電集成芯片

光電集成芯片是指利用光子與微電子技術(shù)將光子元件和電子元件集成在一起的集成電路,具有高傳輸帶寬、快傳輸處理速度、高集成度和低成本等優(yōu)點(diǎn)。在美國(guó)、歐盟、英國(guó)、日本等國(guó)家一系列戰(zhàn)略布局的推動(dòng)下,光電集成芯片取得了一定的重要研究進(jìn)展,但此芯片技術(shù)研究仍處于起步階段。荷蘭研究人員開(kāi)發(fā)出快速且高能效光子存儲(chǔ)器,有望徹底變革未來(lái)光子集成電路的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過(guò)程。日本電信電話公司在處理器中引入光網(wǎng)絡(luò)技術(shù),開(kāi)發(fā)出集成納米光子學(xué)技術(shù)的芯片,實(shí)現(xiàn)了超小型光電變換元件。

此外,隨著Intel芯片、ARM芯片和AMD芯片安全漏洞的持續(xù)暴露,芯片設(shè)計(jì)漏洞檢測(cè)成為了未來(lái)芯片技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)考慮因素之一。2019年,美國(guó)斯坦福大學(xué)開(kāi)發(fā)出兩種人工智能算法,能夠更快地檢測(cè)芯片前端和后端設(shè)計(jì)漏洞,縮減芯片驗(yàn)證周期;密歇根大學(xué)研究人員設(shè)計(jì)出一種新的處理器架構(gòu),所開(kāi)發(fā)的“MORPHEUS”芯片可每秒20次加密和隨機(jī)重編關(guān)鍵數(shù)據(jù)比特,遠(yuǎn)快于人類黑客和電子黑客技術(shù)的反應(yīng)速度,進(jìn)而主動(dòng)抵御未來(lái)威脅。


汽车| 油尖旺区| 北川| 洪洞县| 宁海县| 枞阳县| 红原县| 将乐县| 闻喜县| 大名县| 天门市| 凤城市| 同心县| 夹江县| 富源县| 通许县| 沙河市| 洞口县| 无极县| 安阳县| 偃师市| 漯河市| 桐城市| 赣州市| 和龙市| 台安县| 琼中| 临颍县| 石首市| 高淳县| 镶黄旗| 尼勒克县| 静安区| 石阡县| 繁峙县| 汕尾市| 武宁县| 澄城县| 乌兰察布市| 宜城市| 抚州市|